三星電子和 SK 海力士等全球 DRAM 巨頭正在加速推進 3D DRAM 的商用化，但遠不如美光公司（從 2019 年開始進行 3D DRAM 研究，獲得的專利數量是兩家公司的 2 ~ 3 倍）。
12 日，韓國半導體業界消息稱，三星電子和 SK 海力士的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示將加速 3D DRAM 商業化，他們認為 3D DRAM 是克服 DRAM 物理局限性的一種方法。
在首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上，三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室室長李鐘明表示:“3D DRAM 被認為是半導體產業的未來增長動力�！�
此外，負責 SK 海力士未來技術研究所的 SK 海力士副總經理車善龍也表示：“將于明年公開 3D DRAM 的電子特性細節，從而確定開發方向�！�
3D DRAM 是一種采用全新結構的存儲芯片。簡單來說，現有 DRAM 產品開發的重點是通過減小電路線寬來提高密度，但隨著線寬進入 10nm 范圍，業界開始面臨電容器漏電和干擾等物理限制。為了避免或削弱這種影響，業界引進了高介電常數 (高 K) 沉積材料和極紫外 (EUV) 設備等新材料和設備。但半導體行業認為，制造 10nm 或更先進芯片的小型芯片將為制造商帶來巨大挑戰。
三星電子和 SK 海力士今年實現量產的高端 DRAM 線寬為 12 納米�？紤]到目前 DRAM 線寬微縮至 1nm 將面臨的情況，業界認為 3 ~ 4 年后新型 DRAM 商品化將會是一種必然，而不是一種方向。
當然，與現有的 DRAM 市場不同，據IT之家所知 3D DRAM 市場目前還沒有絕對的領導者，因此快速量產才是至關重要的。隨著 ChatGPT 等人工智能應用產品的活躍，業界也開始增加對高性能、大容量存儲半導體的需求。
相信隨著三星電子和 SK 海力士開始加快 3D DRAM 技術的商用化，我們未來也將會更多廠商甚至中國廠商推出類似的技術方案和產品，敬請期待。
